Время работы:

с 9:30 до 18:00 по Мск

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Полупроводниковые приборы прочие

31.080.99. Полупроводниковые приборы прочие

  • ГОСТ 19834.0-75.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров
    Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей

  • ГОСТ 19834.2-74.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
    Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;

    метод замещения;

    методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный

  • ГОСТ 19834.3-76.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
    Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения

  • ГОСТ 24352-80.

    действующий
    от: 22.03.2010

    Излучатели полупроводниковые. Основные параметры
    Semiconductor photoemitters. Main parameters
    Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров